円偏光二次元光電子回折法によるトポロジカル超伝導体CuドープBi2Se3のドーパントサイトの観察

荻 昌史
橋本 由介
桃野 浩樹
深見 駿
小林 進大
彭 大巍
俣野 和明
松田 博之
田口 宗孝
鄭 国慶
大門 寛

トポロジカル絶縁体Bi2Se3は、Cuをドープすると4K以下でトポロジカル超伝導状態を発現することが知られている。しかし、表面付近の結晶性の不均一性から、超伝導の発現に重要な結晶表面付近におけるCuのドーパント位置の詳細は明らかにされていない。そこで、本研究では左右円偏光を用いた二次元光電子回折法による構造解析により、結晶表面中のCuドーパントサイトの特定を試みた。詳細はポスター発表にて述べる。

表面科学学術講演会要旨集

公益社団法人 日本表面真空学会

2018

10.14886/sssj2008.2018.0_298

https://doi.org/10.14886/sssj2008.2018.0_298
https://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201902287823664399
https://cir.nii.ac.jp/crid/1390282763071024768?lang=ja